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1.外延结构
2.芯片结构设计
下图中的巴条具有腔长1200μm和p电极孔径5μm。
4.小结
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时间:2024-03-13 09:35来源:未来芯研究 辛路作者:weixiang 点击:次摘要：近年来，随着深紫外LED技术的发展，目前深紫外的光电转换效率还偏低，在5-10%之间。在深紫外LED已有研究的的基础上，深紫外激光器也越来越被关注和研究，本文介绍一篇波长298.1nm的深紫外激光器材料生长及制备过程。 1. 外延结构 深紫外器件的外延结构如下，其中在蓝宝石衬底上生长周期性的AlN纳米柱，纳米柱排列为三角形图案，纳米柱高度300 nm，间距1 um，宽度400 nm，然后在
关键字：深,紫外,激光器,技术,及,产业,趋势,近年来,
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1.外延结构
2.芯片结构设计
下图中的巴条具有腔长1200μm和p电极孔径5μm。
4.小结
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