世界上第一款在硅片上集成了可调谐的激光源的集成可调谐硅基发射器近日已经正式研发出来了，同时这也是首次在硅片上成功集成了可调谐的激光源，为向研制完全集成的硅基收发器迈出了关键一步，为科技领域的深入发展做出了重要的贡献。

    这款集成可调谐硅基发射器是在欧盟“CMOS光电子功能集成项目”(HELIOS)的资助下，由法国原子能委员会旗下的电子信息技术研究所(CEA-Leti)，以及由法国阿尔卡特朗讯贝尔实验室、泰雷兹研究与技术公司和CEA-Leti组成的III-V联合实验室研制而成。

    该发射器采用直接键合的方式将III-V族材料嵌入硅片，制造出一个混合的III-V/Si激光器。该激光器具备9纳米波长可调性、一个Mach-Zehnder调制器和高达10 dB的消光比，从而实现了很低的误码率。CEA-Leti和III-V实验室的科研人员还展示了一台单一波长的可调谐激光器，其在20摄氏度下的临界电流为20mA，调谐范围45nm，超过调谐范围的侧模压抑率(Side Mode Suppression Ratio)大于40dB。

    硅光子学是一项非常强大的技术，它具备大规模制造CMOS光子器件的潜能，但缺乏作为CMOS基础材料的硅基光源却是发展硅光子学的一大障碍。CEA-Leti和III-V实验室的科研人员通过在硅晶片上键合III-V族材料克服了这一难题，在硅光子学研究领域取得了重大突破。该研究结果在美国洛杉矶举行的“2012光纤通信大会”上正式对外宣布。