高功率半导体激光器历程回顾与产业现状

激光技术已成为现代生活中不可替代的技术之一，不论是工业加工、医疗美容、光纤通信，还是近年来火热的无人驾驶、智能机器人等，都与激光技术息息相关。今天我们主角是半导体激光器，小编将带大家一起回顾它的发展历程及产业现状。

半导体激光器发展史

从理论发展到实验室研制

激光的起源可以追溯到1916年爱因斯坦发布的《关于辐射的量子理论》一文。爱因斯坦首次提出受激辐射理论，为日后激光的发展提供了理论基础。40年后，关于能否用半导体材料形成激光的话题开始被物理学家注意，艾格瀚等科学家提出了许多半导体激光器的设想及可能。

经过几年的论证与实验，同质结GaAs半导体激光器于1962问世。但由于同质结半导体激光器的临界电流密度很高，不能在室温下实现连续受激激发，导致其几乎没有任何实用性。因此半导体激光器的研究方向指向了“实现室温情况下连续受激激发”。

为解决临界电流密度高的问题，科学家们提出了异质结构半导体激光器的概念，通过用不同带隙的半导体材料薄层组成“结”，有效地降低了临界电流密度。1967年，单异质结半导体激光器问世。与同质结半导体激光器相比，单异质结半导体激光器临界电流密度有了大幅度的下降，但仍处在一个较高的位置，未能实现室温条件下的连续受激激发的研究目标。尽管如此，单异质结半导体激光器的历史地位也不容轻视，它所使用的异质结结构与液相外延技术，为接下来的研究提供了重要的理论基础和技术支持。

稳定激发、提高寿命，半导体激光器走向实际应用

异质结构的成功运用为科学家指明了方向。既然单异质结半导体激光器的临界电流密度仍然偏高，那么双异质结构效果怎么样呢？

1969年9月，Leningrad Ioffe研究所发布了双异质半导体激光器（Al_xGa_1－xAs－－GaAs）初步的研究成果。1970年初，贝尔实验室成功降低了双异质半导体激光器的临界电流密度，实现了室温条件下的连续受激激发，宣告双异质半导体激光器面世。同年5月，Leningrad Ioffe研究所也成功实现双异质半导体激光器在室温下的连续受激发射。

室温下连续受激发射是激光器走向实用性的第一步。解决了室温下可用，就该考虑室温下耐用的问题了，半导体激光器的研究方向也随之转向“实现器件的长寿命与稳定性”。

国际科研人员通过不断改进器件结构，逐步提高了半导体激光器的工作寿命，在1977年实现了双异质短波长半导体激光器连续工作1×10⁶个小时。此后，美、日等国就改进器件结构、提高器件稳定性、降低损耗等方面展开研究，研制出CDH、BH、TJS、CDH等结构的AlGaAs—GaAs激光器，均实现了温室下连续受激激发及单模化工作。

长寿命光源的出现，为半导体激光器走向实际应用铺平了道路。研究人员发现，半导体激光器的波长与光纤十分相配，非常适宜用于光纤通信，因此半导体激光器搭上了光纤通信的发展列车，在不断进步的同时也推动着光通信行业的发展。

光纤通信时代的半导体激光器

1977年，双异质短波长半导体激光器的连续工作寿命达到了1×10⁶个小时，同年5月，以此为光源的第一代光纤通信系统在美国正式投入使用。随着光通信对信息传输大容量、长中继的发展需求，长波长、长寿命半导体激光器的研制工作也随之展开。

1979年，第二代光纤通信系统时代的来临，更宽的波长范围对半导体激光器提出了更高的要求。早在1976年，林肯实验室成功就研制出了能在室温下连续工作的InGaAsP 激光器（波长为1.1μm）。1977和1979年，美籍华裔科学家谢肇鑫采用液相外延的方法，在室温条件下分别实现1.3μm和1.55μm的InGaAsP激光器的连续受激激发。InGaAsP激光器很好地契合了第二代光纤通信系统损耗窗口的波长范围，长波长、长寿命的半导体激光器也由此成为国际上着重关注的研制对象。到1988年，InGaAsP激光器的连续工作寿命达到了1×10⁵小时，输出功率大为提升，同时临界电流密度也再次降低。

随着行业的发展，第二代光纤通信系统已经无法满足高速发展的通讯需求，长距离、大容量成为光纤通信行业新的方向。此前光纤通信的容量主要受限于激光器多纵模发射的模式，因此单模模式的长波长半导体激光器成了第三代光纤通信系统的研究重点。

为了缩窄半导体激光器的线宽，科学家将光栅技术引入到半导体激光器的制造中，制造出DFB（无腔面分布反馈）半导体激光器。这类激光器线宽非常窄，接近于单色波激光，此外还可以实现较宽的波长调谐范围。这使得 DFB半导体激光器能够实现单纵模发射，大大提升了光纤通信的传输容量。80年代末期，DFB半导体激光器取得一定的成果，大大推动了第三代光纤通信系统的发展。

高功率半导体激光器蓬勃发展

随着量子理论的发展和科学家们对半导体激光器研究的不断深入，1970年便有人提出了超晶格量子阱的概念，并在GaAs半导体上实现了超晶体结构。1975年，科学家利用分子束外延技术成功研制出第一台GaAlAs－GaAs类材料的量子阱激光器。但由于技术不够完善，首台量子阱激光器未能在室温条件下实现连续稳定振荡。随着分子束外延技术不断完善改进，1982年美国贝尔实验室成功研制出临界电流密度为160A/cm²的半导体量子阱激光器，开启了量子阱激光器研究的帷幕。

此后，量子阱激光器的研究方向主要集中于InGaAlP—GaAs、GaAlAs—GaAs和InGaAsP—InP这三类材料上。1986年，应变量子阱的概念被提出，优化了材料内部的价带特性，改良了半导体发光器件的性能。1997年，高功率、长波长单量子阱激光器成功研制，大功率半导体激光器的实用性得以加强，应用领域大为拓展，半导体激光器迎来蓬勃发展。

我国半导体激光器研究历程

我国激光技术的起步稍晚于国外。在霍尔实验室研制出半导体激光器一年后，中科院半导体所的王守武小组和长春光机所的王乃弘小组先后观察到砷化镓二极管的受激成功现象，开启了中国研究半导体激光器的时代。在特殊时期，我国的科研进展受到一定的阻碍，半导体激光器的研究也一度停滞不前。但在这样的情况下，上光所和半导体所依然克服重重困难，于1970研制出单异质结构半导体激光器。